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      高考化學(xué)復(fù)習(xí)專題-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

      2022-05-02 22:40:05下載本文作者:會(huì)員上傳
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      晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

      【解題技巧】

      (1)一般情況下,不同類型晶體的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體,如:金剛石>NaCl>Cl2;金屬晶體>分子晶體,如:Na>Cl2(金屬晶體熔沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等,有的則很低,如汞等)。

      (2)形成原子晶體的原子半徑越小、鍵長(zhǎng)越短,則鍵能越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如:金剛石>石英>碳化硅>晶體硅。

      (3)形成離子晶體的陰陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)就越高,如:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。

      (4)金屬晶體中金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其形成的金屬鍵越強(qiáng),金屬單質(zhì)的熔沸點(diǎn)就越高,如Al>Mg>Na。

      (5)分子晶體的熔沸點(diǎn)比較規(guī)律

      ①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對(duì)分子質(zhì)量越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如:HI>HBr>HCl。

      ②組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子,分子極性越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如:CO>N2。

      ③同分異構(gòu)體分子中,支鏈越少,其熔沸點(diǎn)就越高,如:正戊烷>異戊烷>新戊烷。

      ④同分異構(gòu)體中的芳香烴及其衍生物,鄰位取代物>間位取代物>對(duì)位取代物,如:鄰二甲苯>間二甲苯>對(duì)二甲苯。

      2.晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法——均攤法

      熟記幾種常見(jiàn)的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目。

      A.NaCl(含4個(gè)Na+,4個(gè)Cl-)

      B.干冰(含4個(gè)CO2)

      C.CaF2(含4個(gè)Ca2+,8個(gè)F-)

      D.金剛石(含8個(gè)C)

      E.體心立方(含2個(gè)原子)

      F.面心立方(含4個(gè)原子)

      3.晶胞求算

      (1)晶體密度的計(jì)算

      (2)晶體微粒與M、ρ之間的關(guān)系

      若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1

      mol晶胞中含有x?mol微粒,其質(zhì)量為xM?g(M為微粒的相對(duì)原子質(zhì)量);又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3?g(a3為晶胞的體積,a為晶胞邊長(zhǎng)或微粒間距離),則1

      mol晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NA?g,因此有xM=ρa(bǔ)3NA。

      【訓(xùn)練】

      1.(1)我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用R代表)晶體局部結(jié)構(gòu)如圖所示?;卮鹣铝袉?wèn)題:

      R的晶體密度為d?g·cm-3,其立方晶胞參數(shù)為a?nm,晶胞中含有y個(gè)[(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl]單元,該單元的相對(duì)質(zhì)量為M,則y的計(jì)算表達(dá)式為_(kāi)_______________。

      (2)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖),其中陰離子采用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420

      nm,則r(O2-)為_(kāi)_______

      nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a′=0.448

      nm,則r(Mn2+)為_(kāi)_______

      nm。

      (3)①GaF3的熔點(diǎn)高于1

      000

      ℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9

      ℃,其原因是______________________________________。

      ②GaAs的熔點(diǎn)為1

      238

      ℃,密度為ρ?g·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_(kāi)_______,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa?g·mol-1和MAs?g·mol-1,原子半徑分別為rGa?pm和rAs?pm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)___________________。

      (4)單質(zhì)O有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)高的是________(填分子式),原因是__________________________________;O和Na的氫化物所屬的晶體類型分別為_(kāi)_______和________。

      (5)①

      Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于面心和頂點(diǎn),則該晶胞中有________個(gè)銅原子。

      ②Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù)a=0.405

      nm,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_(kāi)_______。列式表示Al單質(zhì)的密度________________g·cm-3(不必計(jì)算出結(jié)果)。

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